[发明专利]硅纳米线装配的方法无效
| 申请号： | 200810116691.6 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101399167A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100041*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米线装配的方法，通过温度场的控制，应用硅纳米线在温度场中具有自组织的特性，能够用来装配平行的纳米线；硅纳米线通过稀磁杂化的方法，使之具有弱磁性，然后通过外加磁场控制的方法进行正交装配。既能装配互相平行的硅纳米线，也能采用多层技术装配正交的纳米线，使构成网格式的纳米线阵列，装配效果好，可以用于装配大规模的纳米线阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 线装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅纳米线装配的方法，包括硅纳米线的平行装配，其特征在于，将多条硅纳米线置于温度场中，所述多条硅纳米线沿所述温度场的方向平行排列，形成平行硅纳米线阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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