[发明专利]能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构无效
| 申请号： | 200810116740.6 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101630717A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李林森;关敏;曹国华;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，由以下部分组成：一N型层；一本征层，该本征层生长在N型层上；一P型层，该P型层生长在本征层上；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在P型层上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层生长在有机空穴传输层上；一阴极，该阴极生长在有机电子传输层上的一侧；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧；上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 低频 高频 转换 有机 无机 复合 器件 结构 | ||
【主权项】：
1、一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，所述的器件分为下层无机红外光探测结构和上层有机发光二极管结构，其特征在于，由以下部分组成：一N型层；一本征层，该本征层生长在N型层上；一P型层，该P型层生长在本征层上；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在P型层上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层生长在有机空穴传输层上；一阴极，该阴极生长在有机电子传输层上的一侧；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧；上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810116740.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
