[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200810116878.6 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101630098A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 侯智;郑载润;郑云友;肖红玺;李伟 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括：在基板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜，通过第二次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形，同时第一绝缘层在漏电极位置形成有绝缘层过孔；沉积透明导电薄膜，第三次构图工艺形成包括像素电极的图形，像素电极通过所述绝缘层过孔与漏电极连接；形成第二绝缘层。本发明提出的三次掩模工艺减少了掩模次数，具有工艺过程简单、成本低、良品率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：半导体层和掺杂半导体层，依次形成在基板上；源电极和漏电极，形成在所述掺杂半导体层上，源电极和漏电极之间的区域为TFT沟道区域，其中源电极与所述数据线连接；第一绝缘层，形成在所述源电极和漏电极上，其上形成有使所述像素电极与所述漏电极连接的绝缘层过孔；栅电极，形成在所述第一绝缘层上，并位于所述TFT沟道区域上方，所述栅电极与所述栅线连接；栅绝缘层，形成在所述栅电极和栅线上。
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