[发明专利]一种聚吡咯纳米结构电极及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200810117014.6 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101635201A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 黄际勇;王凯;魏志祥 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/035;H01G9/155 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种聚吡咯纳米结构电极，在电极基材上仅覆盖均匀分布的聚吡咯纳米线阵列，并且该阵列在所述的基材上整齐排列。本发明还提供了制备聚吡咯纳米结构电极需要的电解液以及制备所述聚吡咯纳米结构电极的方法，和聚吡咯纳米结构电极在超级电容器中的应用。本发明的在电极基材上仅覆盖聚吡咯纳米线阵列的电极直接在电极基材上沉积了聚吡咯纳米线阵列，无需外加模板，同时本发明电极作为超级电容器材料时，超级电容的比电容和能量密度都超过了覆盖普通聚吡咯膜的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吡咯 纳米 结构 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种聚吡咯纳米结构电极，该电极基材上仅覆盖均匀分布的聚吡咯纳米线阵列，该阵列上的聚吡咯纳米线间距为100-200nm，并且该阵列在所述的基材上整齐排列，优选地，所述阵列上的聚吡咯纳米线间距为140-170nm。
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