[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 200810117501.2 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101640175A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李敏;郑春生;张子莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的制造方法，包括，提供具有半导体器件的衬底；在所述半导体器件上形成介质层；所述的形成介质层的步骤至少包括以下两个阶段：第一阶段，形成覆盖所述半导体器件的保护层；第二阶段，执行等离子体沉积工艺，在所述保护层上沉积介质材料。本发明可减小或消除形成介质层的步骤中对衬底的半导体器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构的制造方法，包括，提供具有半导体器件的衬底；在所述半导体器件上形成介质层；其特征在于，所述的形成介质层的步骤至少包括以下两个阶段：第一阶段，形成覆盖所述半导体器件的保护层；第二阶段，执行等离子体沉积工艺，在所述保护层上沉积介质材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
