[发明专利]一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液有效
| 申请号： | 200810117832.6 | 申请日： | 2008-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101333419A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 路新春;张伟;雒建斌;刘宇宏;潘国顺 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C09G1/14 | 分类号： | C09G1/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张庆敏 |
| 地址： | 100084北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，包括去离子水、氧化剂和络合剂，其中，络合剂为2～40毫摩尔每升，氧化剂所占的质量百分比为1～20％，其余为去离子水。本发明中抛光液不含有抛光磨粒，从而避免了抛光液中磨粒对抛光表面造成的损伤，因此本发明抛光损伤小，且易清洗；抛光液呈碱性，pH≥8.5，对设备腐蚀小；根据铜抛光液的使用阶段，铜的抛光去除率可控制在100～4000nm/min之间，且可控；氧化剂同时起到络合剂的作用，可起到铜快速氧化去除的目的，另外，还具有工艺简化，价格便宜，成本低，速度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 布线 无磨粒 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，包括：去离子水、氧化剂和络合剂，其中，络合剂为2～40毫摩尔每升，氧化剂所占的质量百分含量为1～20％，其余为去离子水。
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