[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制造、修复方法有效
| 申请号： | 200810117996.9 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101655640A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 邱海军;王章涛;闵泰烨;赵继刚 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板、已修复薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制造、修复方法，其中薄膜晶体管阵列基板包括栅线，数据线，栅线和数据线交叉定义的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，设置在阵列基板外围的修复线，并与数据线在外围区域形成交叉，在靠近修复线与数据线交叉部位的修复线上方形成有与修复线接触的第一电极，在靠近修复线与数据线交叉部位的数据线上方形成有与数据线接触的第二电极。本发明在数据线和修复线之间形成了特定的图形，当数据线出现开路的情况时，不需要经过激光焊接，直接通过沉积导电层即可修复，大幅度提高了修复的成功率，提高了TFT-LCD的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 修复 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线，数据线，栅线和数据线交叉定义的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，设置在阵列基板外围的修复线，并与数据线在外围区域形成交叉，其特征在于，在靠近所述修复线与数据线交叉部位的所述修复线上方形成有与所述修复线接触的第一电极，在靠近所述修复线与所述数据线交叉部位的所述数据线上方形成有与所述数据线接触的第二电极。
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