[发明专利]二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200810118107.0 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101649483A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘春艳;张森;刘云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/16;C30B29/62;C01G23/053;B82B3/00 |
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| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，特别涉及一种利用液相化学沉积(LPD)过程可在多种基底表面构建二氧化钛纳米棒阵列薄膜的方法。将涂有晶种的基底浸没于含有无机盐的钛盐水溶液中，于30～100℃下恒温，在基底表面生长出二氧化钛纳米棒阵列，将基底取出，清洗、干燥后，即可得到与基底结合牢固的二氧化钛纳米棒阵列薄膜。本发明得到的纳米棒阵列薄膜与基底结合牢固；纳米棒有序排列于基底表面；纳米棒的形貌和尺寸较为均一；纳米棒的生长方向基本垂直于基底。本发明制备方法简单，制备过程中不需要添加任何表面活性剂，也不需要任何模板辅助，后处理过程简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，是利用晶种诱导在基底表面生长二氧化钛纳米棒阵列，其特征是：将涂有晶种的基底浸没于含有无机盐的钛盐水溶液中，于30～100℃下恒温，在基底表面生长出二氧化钛纳米棒阵列，然后将基底取出，清洗、干燥后，即得到与基底结合牢固的二氧化钛纳米棒阵列薄膜；所述的晶种为二氧化钛晶粒、无定形二氧化钛颗粒、金颗粒、银颗粒、氧化锌颗粒或氧化锡颗粒。
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