[发明专利]一种单片集成紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法有效
| 申请号： | 200810118875.6 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101661943A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;王漪;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法。紫外图像传感器包括行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素阵列，每个像素单元包括信号放大器电路和光探测元件。图像传感器的行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素单元的信号放大器电路均采用硅CMOS技术制作，同步集成于同一衬底，且光探测元件位于信号放大器电路之上，光探测元件与信号放大器电路之间由介质层隔离，两者通过上述介质层的通孔实现电连接。本发明实现了单片集成，因此具有更高的性能和更低的成本，并显著提高了紫外图像传感器的分辨率和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 紫外 图像传感器 及其 像素 单元 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种紫外图像传感器，包括行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素阵列，其特征在于，所述像素单元包括信号放大器电路和光探测元件，所述图像传感器的行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素单元的信号放大器电路均采用硅CMOS技术制作，同步集成于同一衬底，且光探测元件位于信号放大器电路之上，所述光探测元件与所述信号放大器电路之间设有介质隔离层，两者通过上述介质隔离层的通孔实现电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
