[发明专利]单模量子级联激光器线阵列结构无效
| 申请号： | 200810118963.6 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101662124A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 高瑜;刘峰奇;刘俊岐;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列；一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 单模 量子 级联 激光器 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1.一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列；一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。
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