[发明专利]平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200810119295.9 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101459084A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈洪宁;方绍明;刘鹏飞;王心强;陈勇 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/36;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 娟 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，用以减小平面双扩散金属氧化物半导体器件的结型场效应晶体管导通电阻，提高平面双扩散金属氧化物半导体器件的性能。本发明技术方案在制作Planar DMOS器件之前，在晶圆外延层的表层注入第一掺杂原子，使外延层表层的掺杂浓度高于外延层其它部分的掺杂浓度，并将第一掺杂原子驱入外延层，使得减小了晶圆外延层一定深度的电阻率，使损耗层宽度减小，电流的通道变宽，降低了结型场效应晶体管导通电阻，从而降低了导通电阻，提高了平面双扩散金属氧化物半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种平面双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：向晶圆外延层的表层注入第一掺杂原子，使外延层表层的掺杂浓度高于外延层其它部分的掺杂浓度；将第一掺杂原子驱入晶圆外延层；利用所述晶圆制作平面双扩散金属氧化物半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
