[发明专利]一种四元方钴矿结构的热电材料及其制备方法无效
申请号: | 200810119808.6 | 申请日: | 2008-09-11 |
公开(公告)号: | CN101350394A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 李敬锋;刘玮书;张波萍;赵立东 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;C22C1/05;B22F3/105 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京市100*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种四元方钴矿结构的热电材料及其制备方法,其化学式为CoSb3+δ-x-yXxYy,其中X为Se或Te,Y为Ge或Sn,δ为Sb补偿量,x和y分别为X和Y的掺杂量。该材料的特征于在CoSb3中同时掺入IVB族和VIB族元素。该材料利用IVB族和VIB族元素间电荷补偿使得总的掺杂浓度增加,而引入更多的点缺陷散射来降低热导率。在适当的条件下Co-Sb-X-Y基体中可析出CoX1.5Y1.5相而形成"纳米点",而对声子输运产生额外散射作用。本发明采用机械合金化与放电等离子烧结相结合的方法,制备出具有高热电性能的Co-Sb-X-Y四元材料,其无量纲优值ZT在550℃时达到1.1。 | ||
搜索关键词: | 一种 四元方钴矿 结构 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种四元方钻矿结构的热电材料,其特征在于:该热电材料的化学式为CoSb3+δ-x-yXxYy,其中X为Se或Te,Y为Ge或Sn,δ为Sb补偿量,x和y分别为X和Y的掺杂量。
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