[发明专利]非对称组合电极结构的电容成像传感器无效
| 申请号： | 200810119915.9 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101344547A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 彭黎辉;陆耿;江鹏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R29/24 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于电容成像领域的一种非对称组合电极结构的电容成像传感器。将多个连续的传感器电极dj以不同个数电极dj分别组成组合电极多组；多组组合电极连接为一个整体进行激励和测量，在进行测量时，由构成激励电极的组合电极施加激励电压，利用FPGA进行通道切换，分别测量这些组合电极与激励组合电极间的电容值，即对构成测量电极的组合电极上的电荷值进行测量。与传统的电容成像传感器相比，使得激励和测量电极的位置和角度更加自由，从而能获得更多独立测量数据，有利于提高图像重建质量；同时，减小了电容动态测量范围，增大了最小测量电容值，在增加电极数的同时不需要显著提高硬件测量系统的测量分辨率，易于实际电路的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 组合 电极 结构 电容 成像 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种非对称组合电极结构的电容成像传感器，其特征在于，将多个连续的传感器电极dj以不同个数电极dj分别组成多组组合电极；多组组合电极连接为一个整体进行激励和测量，在进行测量时，由构成激励电极的组合电极施加激励电压，利用现场可编程门阵列FPGA进行通道切换，分别测量这些组合电极与激励组合电极间的电容值，即每次的第一组合电极均为激励组合电极，其余10个均为测量组合电极；只是在第一组合电极上施加激励电压，分别测量这些组合电极与激励组合电极间的电容值，对构成测量电极的组合电极上的电荷值进行测量。
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