[发明专利]真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810120431.6 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101665911A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 彭保进;应朝福;万旭;叶晶;刘蕴涛 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/54;G02B1/10 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 程 皓 |
| 地址： | 321004浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法。它采用可蒸镀各种高低熔点的金属和氧化物材料的真空镀膜机，SiO2基片经抛光打磨；氨水∶双氧水∶去离子水混合液煮沸，去离子水冲净；盐酸∶双氧水∶去离子水混合液煮沸去离子水冲净；超声波和无超声波去离子水介质常温、加温抛洗；入氮气炉烘干；在真空舱内离子枪轰击表面清洗。在低气压环境下，对玻璃基片附加磁铁，使待镀玻璃基片在镀膜的整个过程始终处于稳定磁场当中，并用补偿式控制蒸镀薄膜材料的原子量比，使蒸镀制得的成品薄膜的合金成分与期望比例一致性好的短方向具有横向单轴磁各向异性的薄膜。具有工艺简单易行，制备成本低廉，成品薄膜的合金成分与期望比例一致性好，制得的FeSiB薄膜均匀、致密、稳定、牢固的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 法制 磁阻 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，它是采用可蒸镀各种高低熔点的金属和氧化物材料的真空镀膜机，在10-4～10-3帕的低气压环境下，对巨磁阻抗薄膜材料的蒸发源进行加热，使其蒸发成蒸气原子，淀积到待镀玻璃基片表面上形成薄膜的，其特征在于：在玻璃基片横向两侧附加磁铁，使得在镀膜的整个过程待镀玻璃基片始终处于0.01T～0.2T的稳定磁场当中。
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