[发明专利]柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法无效
| 申请号： | 200810122113.3 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101413141A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;王雪涛;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C30B29/16;C01G9/02;C23C26/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，步骤包括：将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ZnO陶瓷为靶材，生长室通入O2气体，控制压强为0.01～2Pa，室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ZnO籽晶层；分别配置浓度为0.01～0.1mol/L的硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液，并按体积比1∶1混合，再将沉积有ZnO籽晶层的柔性衬底浸没于混合溶液中，在70～100℃下反应1～12h后取出，用去离子水漂洗，烘干，即可。本发明方法所用设备简单，易操作，制备的ZnO纳米线阵列化良好，粗细均匀，成本低，适宜于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 衬底 生长 zno 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1 柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，包括以下步骤：1)分别配置浓度为0.01～0.1mol/L的硝酸锌水溶液和浓度为0.01～0.1mol/L的六次甲基四胺水溶液；2)将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ZnO陶瓷为靶材，靶材与衬底之间的距离保持为4～6cm，生长室真空度至少抽至10-3Pa，生长室通入O2气体，控制压强为0.01～2Pa，室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ZnO籽晶层；3)将硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液按体积比1：1混合，再将上述沉积有ZnO籽晶层的柔性衬底浸没于混合溶液中，在70～100℃下反应1～12h后取出，用去离子水漂洗，烘干，即可。
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