[发明专利]一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法无效

专利信息
申请号: 200810122243.7 申请日: 2008-11-13
公开(公告)号: CN101423942A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 蒋冬;方为仁 申请(专利权)人: 蒋冬;方为仁
主分类号: C23F1/40 分类号: C23F1/40
代理公司: 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 代理人: 张骁敏
地址: 324300*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于制造单晶硅太阳能电池领域,公开了一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法。该溶液为碱溶液、异丙醇和Na2SiO3的混合液,其结构特点是还含有重量百分比为0.02‰~0.1‰的Pb(NO3)2或Pb;碱溶液的重量百分比为1%~3.5%,异丙醇的重量百分比为5%~7%,Na2SiO3的重量百分比为0.2%~2%。该方法为将单晶硅片浸泡在该碱腐蚀溶液中进行腐蚀反应,反应时间为20~30分钟,碱腐蚀溶液的温度为75~85℃。本发明具有使单晶硅片表面反射率降低、制备的绒面金字塔细密、成本低、操作简单、稳定有效制备单晶硅绒面的优点。
搜索关键词: 一种 制备 单晶硅 腐蚀 溶液 方法
【主权项】:
1、一种制备单晶硅片绒面的碱腐蚀溶液,该溶液为碱溶液、异丙醇和Na2SiO3的混合液,其特征是:还含有重量百分比为0.02‰~0.1‰的Pb(NO3)2或Pb。
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