[发明专利]电子器件以及制造电子器件的方法有效
| 申请号： | 200810125262.5 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101330026A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;彭会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开电子器件以及制造电子器件的方法，在所述电子器件中，在导电图案上形成有用作外部连接端子的多个第一凸点。所述方法包括：(a)在电极焊盘上形成具有突出部分的第二凸点，其中电极焊盘形成在基板上；(b)在基板上形成绝缘层；(c)使突出部分的一部分从绝缘层的上表面露出；(d)在绝缘层上的凸点提供区域内形成扁平的应力吸收层，其中第一凸点设置在凸点提供区域内；(e)在绝缘层、应力吸收层和突出部分的露出部分上形成第一导电层；(f)使用第一导电层作为馈电层，通过电解电镀法形成第二导电层；(g)通过使第二导电层图案化形成导电图案；以及(h)在形成于应力吸收层上的导电图案上形成第一凸点。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的方法，在所述电子器件中，在导电图案上形成有用作外部连接端子的多个第一凸点，所述方法包括：(a)在电极焊盘上形成具有突出部分的第二凸点，所述电极焊盘形成在基板上；(b)在所述基板上形成绝缘层；(c)使所述突出部分的一部分从所述绝缘层的上表面露出；(d)在所述绝缘层上的凸点提供区域内形成扁平的应力吸收层，所述第一凸点设置在所述凸点提供区域内；(e)在所述绝缘层、应力吸收层和突出部分的露出部分上形成第一导电层；(f)使用所述第一导电层作为馈电层，通过电解电镀法形成第二导电层；(g)通过使所述第二导电层图案化来形成导电图案；以及(h)在形成于所述应力吸收层上的所述导电图案上形成所述第一凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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