[发明专利]闪速存储器件及其块选择电路有效
申请号: | 200810125772.2 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101546603A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 姜溁洙 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及闪速存储器件的块选择电路。块选择电路包括控制信号输出部分、切换装置和工作控制器。控制信号输出部分输出通过采用块地址信号来使能或禁止连接至控制信号输出部分的存储块的控制信号。块地址信号根据输入地址来被解码并被提供。切换装置切换控制信号以使得控制信号作为块选择控制信号输入。工作控制器根据控制信号的逻辑电平来关断连接至工作控制器的存储块的漏极选择晶体管及源极选择晶体管。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 选择 电路 | ||
【主权项】:
1. 一种闪速存储器件,包括:具有多个存储单元块的存储单元阵列,其中每个存储单元块具有多个单元串,每个单元串包括串联连接的多个存储单元、漏极选择晶体管和源极选择晶体管;包括地址计数器的控制器,其中所述地址计数器响应于输入地址信号而输出块地址信号以便从所述存储单元阵列中的所述多个存储单元块中选择存储单元块;以及块选择电路,其包括用来响应于所述块地址信号而控制所述漏极选择晶体管及源极选择晶体管并使能或禁止所述存储单元块的第一和第二晶体管,其中所述第一晶体管提供于漏极选择线和地之间,且所述第二晶体管提供于源极选择线和地之间。
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