[发明专利]吡啶并[3,2－h]喹唑啉和/或其5,6－二氢衍生物、其制备方法和包含它们的掺杂有机半导体材料

摘要

本发明涉及下述结构式8的吡啶并[3，2－h]喹唑啉和/或其5，6二氢衍生物：结构式8其中：R¹和R²是取代或未取代的，为芳基、杂芳基、具有R＝C₁－C₂₀烷基的式CHR₂的烷基、或具有R＝C₁－C₂₀烷基的式CR₃的烷基；R³选自H，取代或未取代的C₁－C₂₀烷基、芳基和杂芳基；R⁴选自H，取代或未取代的C₁－C₂₀烷基、芳基和杂芳基、NH₂、具有R＝C₁－C₂₀烷基的NHR、具有R＝C₁－C₂₀烷基的NR₂、N－烷基芳基、N－芳基₂、咔唑基、二苯并氮杂基和CN。本发明还涉及它们的制备方法和使用这些喹唑啉的掺杂的有机半导体材料。所述半导体材料显示改进的热稳定性和传导性。

主权项

1.下述结构式8的吡啶并[3，2-h]喹唑啉和/或其5，6二氢衍生物，结构式8其中：R¹和R²是取代或未取代的，为芳基、杂芳基、具有R＝C₁-C₂₀烷基的式CHR₂的烷基、或具有R＝C₁-C₂₀烷基的式CR₃的烷基；R³选自H，取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、芳基和杂芳基；R⁴选自H，取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、芳基和杂芳基、NH₂、具有R＝C₁-C₂₀烷基的NHR、具有R＝C₁-C₂₀烷基的NR₂、N-烷基芳基、N-芳基₂、咔唑基、二苯并氮杂基和CN。