[发明专利]制造闪存装置的方法无效
| 申请号： | 200810126237.9 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101419932A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 金成珍 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造闪存装置的方法，可以包括：在半导体衬底上形成介电膜图案；使用介电膜图案作为掩膜蚀刻半导体衬底以形成沟槽；在包括沟槽的半导体衬底上形成第一介电膜；对形成有第一介电膜的半导体衬底执行湿蚀刻处理；在半导体衬底上形成第二介电膜；对第一和第二介电膜执行平面化处理；以及去除介电膜图案。从而，当形成装置绝缘膜时以及当形成层间介电膜时，防止了空隙的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 装置 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：在半导体衬底上形成介电膜图案；然后通过使用所述介电膜图案作为掩膜蚀刻所述半导体衬底形成沟槽；然后在包括所述沟槽的所述半导体衬底上形成第一介电膜；然后在形成有所述第一介电膜的所述半导体衬底上执行湿蚀刻处理；然后在所述半导体衬底上形成第二介电膜；然后在所述第一和第二介电膜上执行平面化处理；然后去除所述介电膜图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
