[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810126250.4 | 申请日： | 2005-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101320722A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 前村公博;小林等;中岛忠俊;小平觉 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/552;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;麻吉凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体层，具有形成有晶体管的区域；第一层间绝缘层，形成于所述半导体层的上面；第一布线层、第二布线层及第三布线层，形成于所述第一层间绝缘层上面以及所述区域的上面；第二层间绝缘层，形成在所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层的上面；以及第四布线层和第五布线层，形成在所述第二层间绝缘层的上面和所述区域的上面，其中，所述第四布线层形成在所述第一布线层与所述第二布线层之间；所述第五布线层形成在所述第二布线层与所述第三布线层之间。
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