[发明专利]制造半导体高压器件的方法无效
| 申请号： | 200810126252.3 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101339902A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 河丞撤 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体高压器件，包括：半导体衬底，具有形成于其中的深沟槽；栅极氧化膜，形成在深沟槽的侧壁上；多晶硅层，形成在深沟槽中和栅极氧化膜上；以及间隔部，形成在栅极氧化膜上面的部分深沟槽处的沟槽的侧壁上。可防止处理中的栅极氧化膜的损耗，从而也防止了电流通路的改变，诸如多晶硅上表面和源区/漏区之间的泄漏电流的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 高压 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：通过在半导体衬底上执行第一光刻处理，形成限定氮化膜间隔区的第一光刻胶图案；然后沿着所述第一光刻胶图案蚀刻所述半导体衬底；然后去除所述第一光刻胶图案；然后在所述半导体衬底上方沉积蚀刻停止膜；然后在所述蚀刻停止膜上执行回蚀处理；然后在包括所述蚀刻停止膜的所述半导体衬底上形成硬质掩模；然后在所述硬质掩模上执行第二光刻处理，以形成限定栅电极区的第二光刻胶图案；然后通过使用所述第二光刻胶图案执行干蚀刻处理，图案化所述硬质掩模；然后通过图案化所述蚀刻停止膜来形成间隔部，以暴露所述半导体衬底的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
