[发明专利]制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200810127805.7 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101335210A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吴龙皓 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法可以包括：在半导体衬底中形成阱，然后在该半导体上和/或上方形成栅氧化层，然后在该栅氧化层上和/或上方形成栅极，然后在该栅极下形成袋，然后在半导体衬底上实施第一次尖峰退火，然后在半导体衬底上实施深源极/漏极注入工艺，然后在半导体衬底上实施第二次尖峰退火。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底中形成阱；然后在所述半导体衬底上形成栅氧化层；然后在所述栅氧化层上形成栅极；然后在所述栅极下形成袋；然后在所述半导体衬底上实施第一次尖峰退火；然后在所述半导体衬底上实施深源极/漏极注入工艺；然后在所述半导体衬底上实施第二次尖峰退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
