[发明专利]侧向DMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810127811.2 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101335211A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 高埑柱 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种LDMOS器件及其制造方法，其可包括：第一导电型半导体衬底，其具有有源区和场区；第二导电型深阱，其形成在第一导电型半导体衬底上；第二导电型调节层，其位于第二导电型深阱中；第一导电型体，其形成在第二导电型深阱中；绝缘层，其形成在场区和有源区中的第一导电型半导体衬底上；栅极区，其形成在有源区中的第一导电型半导体衬底上；第二导电型源极区，其形成在第一导电型体中；第二导电型漏极区，其形成在第二导电型深阱中。因此，这种LDMOS器件具有高击穿电压而不增加导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 侧向 dmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供第一导电型半导体衬底，其具有有源区和场区；然后在所述第一导电型半导体衬底上形成第二导电型深阱；然后形成第二导电型调节层，其位于所述第一导电型半导体衬底上的所述第二导电型深阱中；然后在所述第二导电型深阱中形成第一导电型体；然后在所述场区和所述有源区中的所述第一导电型半导体衬底上形成绝缘层；然后在所述有源区中的所述第一导电型半导体衬底上形成栅极区；然后在所述第一导电型体中形成第二导电型源极区；以及然后在所述第二导电型深阱中形成第二导电型漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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