[发明专利]用于嵌入式DRAM的刷新控制器及刷新控制方法有效
| 申请号： | 200810128078.6 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101640065A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李宇飞;陆泳;杨浩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李 峥;于 静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于嵌入式DRAM的刷新控制器，被配置为接收外部存取信号，产生刷新使能信号(REFN)、刷新地址信号(CRA)和冲突信号，所述嵌入式DRAM包括多个存储库组，所述控制器包括：状态控制模块，根据刷新间隔和时钟周期产生刷新使能信号REFN和最后刷新信号last_ccr；刷新搜索模块，在所述多个存储库组中搜索至少一个该刷新间隔内待刷新的存储库组，并根据所述外部存取信号和搜索到的存储库组产生刷新地址信号CRA；记分板模块，根据所述刷新地址信号CRA和外部存取信号记录所述多个存储库组的每一个的状态；冲突探测模块，根据所述外部存取信号、最后刷新信号last_ccr和所述每个存储库的状态产生冲突信号。本发明还提供了相应的刷新控制方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 嵌入式 dram 刷新 控制器 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于嵌入式DRAM的刷新控制器，被配置为接收外部存取信号，产生刷新使能信号REFN、刷新地址信号CRA和冲突信号，并将该刷新使能信号REFN和刷新地址信号CRA传送给所述嵌入式DRAM，所述嵌入式DRAM包括多个存储库组，所述控制器包括：状态控制模块，被配置为根据刷新间隔和时钟周期产生所述刷新使能信号REFN和所述最后刷新信号last_ccr；刷新搜索模块，被配置为在所述多个存储库组中搜索至少一个该刷新间隔内待刷新的存储库组，并根据所述外部存取信号和搜索到的存储库组产生所述刷新地址信号CRA；记分板模块，被配置为根据所述刷新地址信号CRA和外部存取信号记录所述多个存储库组的每一个的状态；冲突探测模块，被配置为根据所述外部存取信号、最后刷新信号last_ccr和所述每个存储库的状态产生冲突信号。
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