[发明专利]存储器修补电路及使用其的仿双端口静态随机存取存储器

摘要

本发明是关于一种存储器修补电路及使用其的仿双端口静态随机存取存储器。此存储器修补电路利用较少数量的备用行区块，并且储存少量的损坏区块地址的方式减少备用行区块所需要的备用区块解码的复杂度。因此，本发明可以减少备用存储器单元所需要的布局面积。

主权项

1.一种可修补的仿双端口静态随机存取存储器，其特征在于，所述可修补的仿双端口静态随机存取存储器包括：一存储器单元阵列，包括多个存储器单元区块以及一备用区块，每一所述的存储器单元区块被分为多个存储器单元子区块，另外，所述的备用区块的大小与所述的存储器单元子区块相同；一地址解码电路，包括：一列地址解码电路，根据一列地址所指定的一特定列，以开启所述的存储器单元阵列的所述的特定列；一第一行地址解码电路，具有一N位的连接总线，根据第一行地址信号所指定的N个第一特定行，以使所述的存储器单元阵列中的所述的N个第一特定行连接到所述的第一行地址解码电路的N位连接总线，其中N为自然数；以及一第二行地址解码电路，具有一M位的连接总线，根据第二行地址信号所指定的M个第二特定行，以使所述的存储器单元阵列中的所述的M个第二特定行连接到所述的第二行地址解码电路的M位连接总线，其中M为自然数，且M＞N；一第一输入输出端口，具有N位总线；一第二输入输出端口，具有M位总线；一第一选择电路，耦接所述的第一行地址解码电路的N位连接总线以及所述的第一输入输出端口的N位总线，当所述的第一行地址信号所指定的一第一特定行，位于一损坏的存储器单元子区块时，则所述的第一选择电路选择所述的备用区块的一第一对应行，并将其耦接到所述的第一输入输出端口的N位总线，其中所述的第一对应行的相对地址与所述的损坏的存储器单元子区块中的所述的第一特定行的地址相同；以及一第二选择电路，耦接所述的第二行地址解码电路的M位连接总线以及所述的第二输入输出端口的M位总线，当所述的第二行地址信号所指定的一第二特定行，位于所述的损坏的存储器单元子区块时，则所述的第二选择电路选择所述的备用区块的一第二对应行，并将其耦接到所述的第二输入输出端口的M位总线，其中所述的第二对应行的相对地址与所述的损坏的存储器单元子区块中的所述的第二特定行的地址相同。