[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置在半导体基板上形成有存储器元件，所述存储器元件具有存储层和在所述存储层两面上分别形成的第1电极及第2电极，所述存储层具有相互邻接的所述第1电极侧的第1层和所述第2电极侧的第2层，所述第1层由下述材料构成，所述材料含有选自由Cu、Ag、Au、Al、Zn、Cd组成的第1元素组中的至少1种元素、和选自由V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ti、Zr、Hf、Fe、Co、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir、Ru、Os、镧系元素组成的第2元素组中的至少1种元素、和选自由S、Se、Te组成的第3元素组中的至少1种元素，所述第2层ML2由下述材料构成，所述材料含有选自所述第1元素组中的至少1种元素、和选自所述第2元素组中的至少1种元素、和氧。