[发明专利]将自组装纳米结构图案化及形成多孔电介质的方法无效
| 申请号： | 200810128529.6 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101335190A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陈光荣;李伟健;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了将自组装纳米结构图案化和形成多孔电介质的方法。一方面，该方法包括在下层上提供硬掩模；用光刻胶在该硬掩模上预限定待在图案化过程中进行保护的区域；在该硬掩模及该光刻胶上形成共聚物层；由该共聚物形成自组装纳米结构；以及蚀刻以将该自组装纳米结构图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 组装 纳米 结构 图案 形成 多孔 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将使用共聚物形成的自组装纳米结构图案化的方法，所述方法包括：在下层上提供硬掩模；用光刻胶在所述硬掩模上预限定待在所述图案化过程中进行保护的区域；在所述硬掩模和所述光刻胶上形成所述共聚物层；由所述共聚物形成自组装纳米结构；和蚀刻以将所述自组装纳米结构图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
