[发明专利]具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810128535.1 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101609835A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 侯智升;侯维新 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法。上述功能性阵列元件包括透明基板。图案化阵列式下电极设置于该透明基板上。间隙壁结构设置于该透明基板上，且位于该图案化阵列式下电极之间的间隙，且与该图案化阵列式下电极自对准。功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中。图案化上电极设置于该功能性结构层上，位于对应该像素阵列区域，以及保护层设置于该图案化上电极上，覆盖该功能性阵列元件。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 电极 结构 功能 阵列 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具自对准电极结构的功能性阵列元件，包括：透明基板；图案化阵列式下电极设置于该透明基板上；间隙壁结构设置于该透明基板上，且位于该图案化阵列式下电极之间的间隙，且与该图案化阵列式下电极自对准；功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中；图案化上电极设置于这些功能性结构层上，位于对应该像素阵列区域，以及保护层设置于该图案化上电极上，覆盖该功能性阵列元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
