[发明专利]非易失性存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810128539.X | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101335305A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 日高宪一;儿玉典昭 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，提高非易失性存储器的性能，并使制造工序减少。该非易失性存储器在存储器单元(MC)中，在N型阱(3a)中形成P型扩散区域(7a)、P型扩散区域(7b)以及P型扩散区域(7c)，在P型扩散区域(7a)和P型扩散区域(7b)之间的沟道上经由选择栅绝缘膜(4a)形成选择栅(6a)，在P型扩散区域(7b)和P型扩散区域(7c)之间的沟道上经由浮栅绝缘膜(5)形成浮栅(6b)。在周边电路(PT)中，在N型阱(3b)中，形成P型扩散区域(7d)以及P型扩散区域(7e)，在P型扩散区域(7d)和P型扩散区域(7e)之间的沟道上经由周边电路栅极绝缘膜(4b)形成周边电路栅极(6c)。浮栅绝缘膜(5)的膜厚构成为比选择栅绝缘膜(4a)和周边电路栅极绝缘膜(4b)的膜厚厚。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，在存储器单元中，在阱中形成第1扩散区域、第2扩散区域以及第3扩散区域，在所述第1扩散区域和所述第2扩散区域之间的沟道上经由选择栅绝缘膜形成选择栅，在所述第2扩散区域和所述第3扩散区域之间的沟道上经由浮栅绝缘膜形成浮栅，其特征在于，所述浮栅绝缘膜的膜厚构成为比所述选择栅绝缘膜的膜厚厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810128539.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：频率合成器
- 下一篇：一种蒸汽喷射真空泵同心度对中装置
- 同类专利
- 专利分类
