[发明专利]等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法无效
| 申请号： | 200810128905.1 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101343146A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | M·W·柯赫尔鲍驰;J·E·道格赫缇 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法。具体的，本发明提供了表面精加工等离子体加工设备部件的方法。所述的部件包括至少一个暴露到等离子体中的表面。所述的方法包括机械抛光、化学刻蚀和清洗暴露到等离子体中的表面，以便获得所希望的表面形态。部件的石英玻璃密封表面也可用所述的方法精加工。可将相同部件暴露到等离子体中的表面和密封表面精加工到彼此不同的表面形态。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 加工 设备 部件 刻蚀 半导体 基材 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体加工设备的部件，所述的部件包括：至少一个具有第一算术平均粗糙度Ra的暴露到等离子体中的石英玻璃表面；以及至少一个有不同于第一算术平均粗糙度Ra的第二算术平均粗糙度Ra的真空密封石英玻璃表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰姆研究公司，未经兰姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810128905.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
