[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810128976.1 | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101409234A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | S·古哈;F·R·迈克费里;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁楚利;J·J·约卡斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在高k栅极电介质/界面层的叠层上形成包含电正性金属的覆盖层的方法，其避免化学和物理地更改高k栅极电介质和界面层。该方法包括在大约400℃或更低的温度下包含电正性金属的前体的化学汽相沉积。本发明也提供半导体结构例如MOSCAP和MOSFET，其包括位于高k栅极电介质和界面层的叠层上的化学汽相沉积的包含电正性金属的覆盖层。CVD包含电正性金属的覆盖层的存在不会物理或化学地更改高k栅极电介质和界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：将衬底放置在化学汽相沉积反应室中，所述衬底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的界面层、以及位于所述界面层上的高k栅极电介质；将包括所述衬底的所述反应室抽空到小于1E-3托的基础压力；将衬底加热到大约400℃或更低的温度；将包含电正性金属的前体提供到所述反应室；以及将包含电正性金属的覆盖层沉积到所述高k栅极电介质上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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