[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 200810129294.2 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101621096A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 徐大正;蔡孟伦 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种发光元件，至少包含一发光层、一第一导电型局限层以及一第二导电型局限层，其中第一导电型局限层与第二导电型局限的厚度不同，使发光元件中沿外延生长方向的光强度分布曲线的峰值区域与发光层在空间上不相互重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，至少具有一外延结构，其中该外延结构具有发光层，该发光层所产生的光线的光强度沿该外延结构生长方向分布变化，其中最大光强度位于发光层以外的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810129294.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光电装置及其制造方法
- 下一篇：像素结构的制作方法以及像素结构
