[发明专利]导电膜、电子发射器件和图像显示设备无效
申请号: | 200810129452.4 | 申请日: | 2008-07-31 |
公开(公告)号: | CN101359567A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 寺田匡宏;小岛诚;岩城孝志;水江雄;伊部刚 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J29/04 | 分类号: | H01J29/04;H01B5/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种在衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜,其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5,所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。 | ||
搜索关键词: | 导电 电子 发射 器件 图像 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜,其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5,所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。
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