[发明专利]液晶显示装置及电子设备有效
| 申请号： | 200810130136.9 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101354511A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 黑川义元;池田隆之;长多刚;井上卓之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种开口率提高的液晶显示装置及电子设备。本发明包括：具有绝缘表面的衬底；形成在衬底上的晶体管；以及电连接到晶体管的像素电极。该晶体管包括：栅电极；栅电极上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的具有微晶结构的半导体层；以及具有微晶结构的半导体层上的缓冲层。所述晶体管的沟道宽度W和晶体管的沟道长度L满足0.1≤W/L≤1.7的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示装置，包括：具有绝缘表面的衬底；形成在所述衬底上的晶体管；以及电连接到所述晶体管的像素电极，其中所述晶体管具有：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的具有微晶结构的半导体层；以及所述具有微晶结构的半导体层上的缓冲层，所述半导体层具有沟道形成区域，并且所述晶体管的沟道宽度W和所述晶体管的沟道长度L满足0.1≤W/L≤1.7的关系。
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