[发明专利]形成孔洞性材料的方法无效
申请号: | 200810130222.X | 申请日: | 2008-06-16 |
公开(公告)号: | CN101609809A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 吕志鹏;徐国原;徐幸铃;陈冠宇;洪西宗;高坂信夫 | 申请(专利权)人: | 台湾信越矽利光股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 台湾省台北市松山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种形成孔洞性材料的方法,是将一具有多孔隙的第一基材及一兼容该第一基材的牺牲材混合,使该牺牲材可渗入于第一基材的孔隙内,完成第一成品,再将该第一成品混合一第二基材,并将该第一成品与第二基材加热至牺牲材的汽化温度上,使该第二基材分子产生变化并因黏滞力增加无法进入第一基材的孔隙,且该些牺牲材受热产生汽化逸出该第一基材的孔隙,使第二基材无法渗入该第一基材的孔隙并形成第二成品,以保留第一基材的孔隙内的成份。 | ||
搜索关键词: | 形成 孔洞 材料 方法 | ||
【主权项】:
1、一种形成孔洞性材料的方法,其步骤至少包括:(1)备置一多孔隙的第一基材、一第二基材及一相容该第一基材且不相容于第二基材的牺牲材;(2)将该第一基材及液态牺牲材混合,使该牺牲材在适当操作温度下完整包覆于第一基材的孔隙内,完成第一成品;(3)再将该第一成品与该第二基材混合,并将该第一成品及第二基材加热至该牺牲材的汽化温度,并配合第二基材所需的交联反应温度条件,此时,该些牺牲材受热汽化逸出该第一基材的孔隙,且该第二基材的因聚合反应所产生高黏度性,而使该第二基材包覆于该第一基材外侧,且该第一基材孔隙内的成份可以保留,而形成第二成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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