[发明专利]半导体晶片研磨用组合物和研磨方法无效
| 申请号： | 200810130976.5 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101659849A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 中条胜;泉昌宏;宫部慎介;前岛邦明;田中弘明 | 申请（专利权）人： | 日本化学工业株式会社;创技电子机械有限公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片研磨用组合物和研磨方法。本发明提供碱金属含量少的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，研磨速度高，且相对于浓度的变化，研磨速度的变化小。本发明的半导体晶片研磨用组合物的特征在于，其含有包含固定了四乙基铵的二氧化硅粒子的胶态二氧化硅，且分散在水中的二氧化硅粒子的浓度为0.5～50重量％。在固定了四乙基铵的二氧化硅粒子中含有的四乙基铵的浓度，以四乙基铵/二氧化硅的摩尔比计优选为5×10-4～2.5×10-2的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 研磨 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，含有包含固定了四乙基铵的二氧化硅粒子的胶态二氧化硅，且分散在水中的二氧化硅粒子的浓度为0.5～50重量％。
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