[发明专利]包括叠置NAND型电阻存储器单元串的非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810131101.7 | 申请日： | 2008-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101354917A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 高宽协;河大元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/04;H01L27/24;H01L27/22;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开包括叠置NAND型电阻存储器单元串的非易失性存储器件及其制造方法。一种非易失性存储器件，包括基板、位于基板上的绝缘层以及多个串联连接的电阻存储器单元，以限定NAND型电阻存储器单元串，该多个串联连接的电阻存储器单元叠置在绝缘层中，以使得多个电阻存储器单元中的第一个位于基板上且多个电阻存储器单元中的下一个位于多个电阻存储器单元中的第一个上。位于绝缘层上的位线电连接到多个电阻存储器单元中的最后一个。多个电阻存储器单元中的至少一个可包括开关设备和数据存储元件，该数据存储元件包括与开关设备并联连接的可变电阻器。也讨论了相关设备和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 nand 电阻 存储器 单元 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND型电阻存储器单元串，包括：位线；连接到所述位线的多个串联连接的电阻存储器单元，其中，所述多个电阻存储器单元中的每一个都包括：第一节点、第二节点和第三节点；连接在所述第一节点与所述第二节点之间的加热元件；连接在所述第二节点与所述第三节点之间的可变电阻器；和具有连接到所述第一节点的第一端子和连接到所述第三节点的第二端子的开关设备。
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