[发明专利]反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810131345.5 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101378076A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;朴永洙;金善日 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H01L27/115;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;杨静 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法。具体地讲，示例实施例提供了一种可通过堆叠来集成的非易失性存储装置、堆叠模块以及该非易失性存储装置的制造方法。在根据示例实施例的非易失性存储装置中，可在基底上形成至少一个底部栅电极。在该至少一个底部栅电极上可形成至少一个电荷存储层，在该至少一个电荷存储层上可形成至少一个半导体沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 非易失性 存储 装置 堆叠 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有反向结构的非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括:至少一个底部栅电极，在基底上；至少一个电荷存储层，在所述至少一个底部栅电极上；至少一个半导体沟道层，在所述至少一个电荷存储层上。
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