[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，包括一种传导层，该传导层在p型保护环上形成且绝缘薄膜介于它们之间以便与相应的p型保护环连接。每个传导层的内端部凸出于直接内接的p型保护环之上。p型保护环的杂质浓度被设置在n型半导体衬底杂质浓度和p阱区杂质浓度之间。结果，p型保护环可以被缩短且芯片大小可被减小。此外，该器件可被制成对外来电荷较不敏感。

主权项

一种半导体器件，包括：具有至少一个第二传导率类型的阱区的有源部分，所述第二传导率类型的阱区选择性地形成在第一传导率类型的半导体层的表面层内；以及围绕所述有源部分的击穿电压保持结构，所述击穿电压保持结构包括：环形的第二传导率类型的第一半导体区，所述环形的第二传导率类型的第一半导体区以比阱区的杂质浓度低且比半导体层的杂质浓度高的杂质浓度形成为半导体层的表面层，以便环绕阱区中的最外部的一个且与之接触；环形的第二传导率类型的第二半导体区，所述环形的第二传导率类型的第二半导体区以与所述第一半导体区相同的杂质浓度和相同的扩散深度形成以便于环绕所述第一半导体区且与之接触；一个或多个环形的第二传导率类型的第三半导体区，所述一个或多个环形的第二传导率类型的第三半导体区以与所述第二半导体区相同的杂质浓度和相同的扩散深度形成，以便于环绕所述第二半导体区且与之接触或分离；环形的第一传导层，所述环形的第一传导层在所述第一半导体区上形成且绝缘薄膜介于它们之间以便于与最外部的阱区接触；环形的第二传导层，所述环形的第二传导层在所述第二半导体区上形成且绝缘薄膜介于它们之间；以及一个或多个环形的第三传导层，所述一个或多个环形的第三传导层在相应第三半导体区上形成且绝缘薄膜介于它们之间，所述第二传导层与所述第二半导体区接触并且所述第三传导层与相应第三半导体区接触，其中所述第一传导层和第二传导层相互分离，第二传导层的内端部凸出于所述第一半导体区之上，所述第二传导层和所述第三传导层相互分离，且所述第三传导层的内端部凸出于所述第二半导体区之上。