[发明专利]显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810131636.4 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101350331A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;神保安弘;根井孝征 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上形成栅电极；在所述衬底及所述栅电极上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜；将激光束照射到所述微晶半导体膜；在进行所述照射步骤之后，在所述微晶半导体膜上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成添加有赋予一导电类型的杂质元素的半导体膜；通过选择性地蚀刻所述添加有赋予一导电类型的杂质元素的半导体膜，形成源区及漏区；在所述源区及漏区上分别形成源电极及漏电极；以及形成与所述源电极及漏电极中的一方接触的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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