[发明专利]制造半导体器件的方法无效

申请号：	200810132025.1	申请日：	2008-07-18
公开（公告）号：	CN101521157A	公开（公告）日：	2009-09-02
发明（设计）人：	金忠培	申请（专利权）人：	海力士半导体有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/8247
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人：	刘继富;顾晋伟
地址：	韩国京畿***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：	一种制造半导体器件的方法，使用蚀刻气体蚀刻电荷存储层，通过该蚀刻气体，隧道绝缘层比电荷存储层较少地蚀刻。因此，当图案化电荷存储层时，能够防止形成在电荷存储层下的隧道绝缘层受到损伤。制造半导体器件的方法包括：提供其上形成有由绝缘材料形成的隧道绝缘层和电荷存储层的半导体衬底；在电荷存储层上形成堆叠层；图案化堆叠层以暴露电荷存储层的一部分；使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl₂)气体、氯化氢(HCl)气体或其混合气体中的一种，蚀刻暴露的电荷存储层。
搜索关键词：	制造半导体器件方法
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【主权项】：

1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧道绝缘层和由绝缘材料形成的电荷存储层；在所述电荷存储层上形成堆叠层；图案化所述堆叠层以暴露出所述电荷存储层的一部分；和使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl2)气体、氯化氢(HCl)气体及其混合气体中的一种作为蚀刻气体，蚀刻所述暴露的电荷存储层。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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