[发明专利]操作非易失性存储器件的方法

摘要

本发明涉及对非易失性存储器件的操作。依照根据本发明的一方面的操作非易失性存储器件的方法，通过向构成存储块的存储单元的字线施加第一编程电压来执行第一编程操作。根据第一编程操作的结果，首次测量存储单元的阈值电压。使用第二编程电压执行第二编程操作，第二编程电压增大第一与第二阈值电压之差那样大的量，第一和第二阈值电压分别是首次测量的阈值电压中的最低电压电平和中间电压电平。通过将第二编程电压增大第一与第二阈值电压之差那样大的量直到最低阈值电压变得大于编程验证电压，来重复执行第二编程操作。然后通过反映第一电压电平来设置忽略电压，第一电压电平是在最后一个编程执行步骤中施加的编程电压与第一编程电压之差。

主权项

1. 一种操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：通过向构成存储块的存储单元的字线施加第一编程电压来执行第一编程操作，并根据所述第一编程操作的结果测量所述存储单元的阈值电压；使用第二编程电压执行第二编程操作，其中所述第二编程电压被增大第一阈值电压与第二阈值电压之差那样大的量，所述第一阈值电压是所述测量的阈值电压中的最低电压电平，所述第二阈值电压是所述测量的阈值电压中的中间电压电平；并且通过将所述第二编程电压增大所述第一与第二阈值电压之差那样大的量直到所述最低阈值电压变得大于编程验证电压，来重复执行所述第二编程操作，并通过反映第一电压电平来设置忽略电压，其中所述第一电压电平是在最后一个编程执行步骤中施加的编程电压与所述第一编程电压之差。