[发明专利]用于在刻蚀室中使用先进图案膜进行刻蚀的方法无效
| 申请号： | 200810132400.2 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101393847A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王竹戌;宋兴礼;马绍铭 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵 飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于使用先进图案膜(APF)刻蚀晶片的方法，其减小了弯曲并提高了底部对顶部比率，其包括：将包括APF层的晶片提供到处理室中，其中处理室构造有以约162MHz工作的电源；将处理气体供应到室中；使用162MHz电源施加源功率；以及将偏压功率施加到晶片。处理气体包括氢气(H2)、氮气(N2)和一氧化碳气体(CO)。H2∶N2的比率是约1∶1。此外，调节晶片温度以改善刻蚀特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 使用 先进 图案 进行 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种刻蚀先进图案膜(APF)的方法，包括以下步骤：将包括APF层的晶片提供到处理室中，其中所述处理室构造有以约162MHz工作的电源；将处理气体供应到所述室中，其中所述处理气体包括氢气(H2)、氮气(N2)和一氧化碳气体(CO)，并且H2:N2的比率是约1:1；使用所述162MHz电源施加源功率；以及将偏压功率施加到所述晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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