[发明专利]闪速存储器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种闪速存储器件及其制造方法，该方法包括：通过蚀刻半导体衬底而在该半导体衬底中形成沟道；然后在半导体衬底的有源区的沟道的侧壁上形成第一离子注入层；然后在位于沟道之间的基本水平延伸的有源区的表面上形成第二离子注入层；然后至少在有源区上进行调节阈值电压的注入，其中，第一离子注入层和第二离子注入层在一部分有源区上重叠，以提供掺杂浓度高于有源区的非重叠部分的重叠部分；然后在所述有源区上形成栅极结构。由于隔离层之间的有源区的表面的离子掺杂浓度完全相同，因此电流均匀地流过整个表面以防止漏电流、提高可靠性，并延长闪速存储器件的使用寿命。

主权项

1.一种制造闪速存储器件的方法，包括：在半导体衬底中形成沟道；然后通过实施预注入过程，将多个第一离子注入到所述半导体衬底有源区的表面中；然后通过在所述沟道中形成绝缘层并使所述绝缘层平面化以形成隔离层；然后通过将所述多个第一离子注入到所述有源区的所述表面中来实施阱注入过程；然后对所述半导体衬底的所述表面实施调节阈值电压的注入。