[发明专利]一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200810133222.5 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101630691A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李秋德 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 屈小春 |
| 地址： | 215025江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，包括玻璃基板内的嵌入式沟槽，其中依次排列金属栅极、栅介电质、非晶硅层，以及非晶硅层两侧的有源区，该薄膜晶体管的上部与玻璃基板的上部共面。采用本发明的结构，可以克服阻容迟滞所造成的“重影”问题，同时可以缩小薄膜晶体管的尺寸，提高开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 金属 栅极 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，包括玻璃基板内的嵌入式沟槽，其中依次排列金属栅极、栅介电质、非晶硅层，以及非晶硅层两侧的有源区，该薄膜晶体管的上部与玻璃基板的上部共面。
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