[发明专利]接触空穴、半导体器件、液晶显示器及EL显示器的制法

摘要

在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触空穴的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触空穴的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触空穴。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在基片上形成栅电极；在该栅电极上形成第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上形成第一半导体膜；在该半导体膜上形成通道保护膜；在该第一半导体膜和通道保护膜上形成包含杂质元素的第二半导体膜；通过蚀刻该第一半导体膜和第二半导体膜形成岛形半导体膜、源极区和漏极区；在该源极区、漏极区和通道保护膜上形成有机薄膜；在该有机薄膜上形成掩模图案；利用该掩模图案作为掩模，使此有机薄膜构成岛形图案；除去此掩模图案；通过自校准方式在岛形有机薄膜的周边形成第二绝缘膜；通过除去此岛形有机薄膜形成接触空穴；及形成源极线路和漏极线路，其中该岛形有机薄膜排斥第二绝缘膜。