[发明专利]半导体存储器件隔离层的形成方法

摘要

本发明涉及一种形成半导体存储器件的隔离层的方法。根据本发明的一个方面的制造半导体存储器件的方法，在半导体衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层。通过蚀刻电荷俘获层和隧道绝缘层形成隔离沟槽。在包括隔离沟槽的整个表面上形成钝化层。在隔离沟槽的底部形成第一绝缘层。除去在第一绝缘层形成工艺中被氧化的钝化层部分。在包括第一绝缘层的整个表面上形成第二绝缘层。

主权项

1. 一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层；通过蚀刻所述电荷俘获层、所述隧道绝缘层和所述半导体衬底形成隔离沟槽；在所述电荷俘获层上和在所述隔离沟槽内形成钝化层，所述钝化层覆盖所述隔离沟槽；在所述隔离沟槽的底部形成第一绝缘层，所述第一绝缘层暴露出所述钝化层的一部分，所述钝化层的暴露部分在形成所述第一绝缘层期间被氧化；蚀刻所述钝化层的暴露部分以减少所述钝化层暴露部分的厚度；和至少在所述隔离沟槽内和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以形成包括所述第一和第二绝缘层的隔离结构。