[发明专利]介电物质的沉积方法及其所应用的前驱体无效
| 申请号： | 200810133816.6 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101624696A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 聶鑫誉;黄才育;谢君毅 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 洪;霍育栋 |
| 地址： | 台湾省桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种介电物质的沉积方法，该介电物质具有一第一主元素与一第二主元素，其中该第一主元素与该第二主元素存在于一单一的前驱体中，而该沉积方法包含下列步骤：脉冲前驱体；清洗多余的前驱体；脉冲氧化剂；以及清洗多余的氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 物质 沉积 方法 及其 应用 前驱 | ||
【主权项】：
1.一种应用于制造介电物质的前驱体，其中，所述前驱体是Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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