[发明专利]制造光致抗蚀剂图案的方法无效
| 申请号： | 200810134017.0 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101355015A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 姜在贤 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;G03F1/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造光致抗蚀剂图案的方法。该方法包括在蚀刻目标层上涂覆光致抗蚀剂，采用使用掩模的曝光工艺形成最初的光致抗蚀剂图案，以及采用包含反应性有机材料的光致抗蚀剂材料生长最初的光致抗蚀剂图案以形成最后的光致抗蚀剂图案。本发明无需功能特定的高价设备即可制造光致抗蚀剂图案，有利于生产，可确保稳定的工艺余量并实现微观设计规则。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光致抗蚀剂 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造光致抗蚀剂图案的方法，包括以下步骤：在蚀刻目标层上施加光致抗蚀剂；采用曝光掩模，对于该光致抗蚀剂执行曝光工艺，以形成最初的光致抗蚀剂图案；以及对该最初的光致抗蚀剂图案执行生长工艺，以形成最后的光致抗蚀剂图案，其中执行该生长工艺包括施加包含反应性有机材料的光致抗蚀剂材料。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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